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IXTA 8N50P
IXTP 8N50P
14
Fig. 7. Input Adm ittance
14
Fig. 8. Trans conductance
12
10
8
12
10
8
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
6
4
2
0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
6
4
2
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
2
4
6
8
10
12
14
24
V G S - V olts
Fig. 9. Source Curr e nt vs .
Sour ce -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 250V
20
16
12
8
T J = 125 o C
8
7
6
5
4
3
I D = 4A
I G = 10m A
4
0
T J = 25 o C
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
V S D - V olts
Q
G
- nanoCoulombs
10000
1000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MH z
C iss
100
10
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Ope r ating Ar e a
R DS(on) Lim it
25μs
100μs
100
C oss
1
DC
1m s
10m s
T J = 150oC
10
C rss
0.1
T C = 25oC
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - V olts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - V olts
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